图片仅供参考,产品以实物为准
| 类别 | RF MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual Gate, Single |
| 外形尺寸 | 2.9 x 1.3 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最大连续漏极电流 | 0.03 A |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 最大门源电压 | ±8 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | SOT-143 |
| 引脚数 | 4 |
| 典型输入电容@ VDS | 1.2 pF @ 8 V (Gate 2), 2.1 pF @ 8 V (Gate 1) |
| 典型功率增益 | 28 dB |
| 宽度 | 1.3mm |
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